Very Smooth AIGaAs-GaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Dupuis, R.D., Neff, J.G., Pinzone, C.J.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition Epitaxial growth Gallium arsenide Microelectronics MOCVD Molecular beam epitaxial growth Quantum well devices Quantum well lasers Substrates Temperature distribution
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