High-Transconductance Ingaas/Inaias Sisfets

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Jackson, T.N., Solomon, P.M., Tischler, M.A., Pettit, G.D., Canora, F.J., DeGelormo, J.F., Bucchignano, J.J., Wind, S.J.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Electrons Fabrication Indium gallium arsenide Temperature Transconductance Voltage
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