Fabrication Of InGaAs/GaAs Quantum Well Demultiplexing Metal-semiconductor-metal (MSM) Photodetectors Using Selective Bandgap Tuning

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Choudhury, A.N.M.M., Melman, P., Silletti, A., Koteles, E.S., Foley, B., Elman, B.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Demultiplexing Detectors Fabrication Gallium arsenide Indium gallium arsenide Photoconductivity Photodetectors
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/LEOSST.1991.639025