Short SiGe HBT electro-absorption modulator

A SiGe HBT electro-absorption modulator with a device length of 69 μm is proposed. Calculations show that the modulator works at a speed of 25 GHz and can achieve a 10 dB extinction ratio.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Pengfei Wu, Shengling Deng, Huang, Z. Rena
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electro-absorption modulator Electrooptic modulators Heterojunction bipolar transistors optical interconnections Optical switches SiGe HBT Silicon Silicon germanium
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