A 45-GHz SiGe HBT amplifier at greater than 25 % efficiency and 30 mW output power

An efficient power amplifier (PA) is demonstrated in a 0.12-μm silicon germanium (SiGe) BiCMOS process at 45 GHz. The amplifier is a single stage common-emitter amplifier (CE). The voltage handling capability of the amplifier is extended by a low impedance biasing network. The amplifier achieves a p...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Dabag, H-T, Joohwa Kim, Larson, L. E., Buckwalter, J. F., Asbeck, P. M.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	45GHz BiCMOS Current measurement Gain Heterojunction bipolar transistors Impedance Impedance matching millimeter-wave integrated circuit power amplifier Power generation Q-band Silicon germanium
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