Low resistance ohmic contacts to p-Ge/sub 1-x/Cx on Si

Low resistance ohmic contacts to p-Ge/sub 1-x/Cx on Si

We report on ohmic contact measurements of Al, Au, and W metallizations to p-type epitaxial Ge/sub 0.9983/C/sub 0.0017/ grown on a

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 1997-01, Vol.18 (1), p.7-9
Hauptverfasser: Xiaoping Shao, Rommel, S.L., Orner, B.A., Berger, P.R., Kolodzey, J., Unruh, K.M.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Annealing
Carbon dioxide
Contact resistance
Electrical resistance measurement
Gold
Metallization
Molecular beam epitaxial growth
Ohmic contacts
Substrates
Temperature distribution
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Beschreibung
Zusammenfassung:We report on ohmic contact measurements of Al, Au, and W metallizations to p-type epitaxial Ge/sub 0.9983/C/sub 0.0017/ grown on a
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/55.553059