Small Geometry NMOS Transistors in Silicon-on-Sapphire using Rapid Annealed Source/Drains and Improved Crystalline Quality Silicon Films

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Field, M, Cowern, N E B, Godfrey, D J
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing CMOS technology Crystalline materials Crystallization Geometry Implants MOSFETs Parasitic capacitance Semiconductor films Silicon on insulator technology
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