Miniaturized Quad-Band Front-End Module for GSM using Si BiCMOS and passive integration technologies

The paper presents a highly miniaturized front end module (FEM) for GSM. The module consists of pure silicon BiCMOS RF power amplifier (PA) chip, a BiCMOS die for bias/control functions and a pHEMT switch die, all flipped on a passive integration die, which is mounted on an organic laminate substrat...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	de Graauw, A.J.M., van Bezooijen, A., Chanlo, C., den Dekker, A., Dijkhuis, J., Pramm, S., ten Dolle, H.K.J.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	analog circuits BiCMOS BiCMOS integrated circuits GSM Laminates passive integration PHEMTs Power amplifiers power devices Power system harmonics Radio frequency Radiofrequency amplifiers RF circuits Silicon Silicon bipolar Switches
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