Silicon on Insulator CMOS with Hybrid Crystal Orientation Using Double Wafer Bonding

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Chan, K. K., Yang, M., Shi, L., Kumar, A., Ott, J. A, Patel, J., Schultz, R., Kry, H., Zhang, Y., Sikorski, E., Graham, W., To, B., Medd, S., Canaperi, D., Newbury, J., Scerbo, C., Meyer, R., D'Emic, C., Ieong, M.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	CMOS process CMOS technology Etching Fabrication Oxidation Silicon on insulator technology Substrates Temperature Voltage Wafer bonding
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