Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of High-Quality InAs/GaSb Type II Superlattices for Mid-IR Photodetector Applications

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Zhang, X.B., Petschke, A., Mou, S., Xu, C., Ryou, J.H., Chuang, S.L., Hsieh, K.C., Dupuis, R.D.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition Gallium arsenide Infrared detectors Laser sintering Metallic superlattices MOCVD Molecular beam epitaxial growth Photodetectors Substrates Temperature
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