Worst Case Stress Conditions for Hot Carrier Induced Degradation of p-Channel SOI MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Ioannou, D.P., Mishra, R., Ioannou, D.E., Liu, S.T., Flanery, M., Hughes, H.L.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Computer aided software engineering Degradation Hot carriers Human computer interaction MOSFETs Niobium compounds Stress Temperature Titanium compounds Voltage
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ISDRS.2005.1596053