Inverse modeling of oxid deposition using measurements of a TEOS CVD process

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Sheikholeslami, A., Holzer, S., Heitzinger, C., Leicht, M., HaNaberlen, O., Fugger, J., Grasser, T., Selberherr, S.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Analytical models Chemical analysis Chemical vapor deposition Circuit simulation Inverse problems Level set Microelectronics Predictive models Semiconductor device modeling Surface topography
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