UIS-Failure of DMOS Power Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Deckelmann, A.I., Wachutka, G., Hirler, F., Krumrey, J.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Charge carrier density Current distribution Electronics Electrons Exact sciences and technology Failure analysis Numerical analysis Other multijunction devices. Power transistors. Thyristors Power transistors Proximity effect Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Semiconductor optical amplifiers Temperature distribution Thermal stresses
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2002.194967