ZrO2 Gate Dielectrics Prepared by E-beam Deposition of Zr and YSZ Films and Post Annealing Processes

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Johansson, M., Yousif, M.Y.A., Sareen, A., Lundgren, P., Bengtsson, S., Sodervall, U.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Applied sciences Compound structure devices Dielectrics Electronics Exact sciences and technology Materials Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Zirconium
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2002.194957