Self Heating in InP DHBT Technology for 40 Gb/s ICs

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Giguerre, L., Abboun, M., Aniel, F., Zerounian, N., Dubois, A., Adde, R., Blayac, S., Riet, M., Konczykowska, A.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	DH-HEMTs Gallium arsenide Heating Indium gallium arsenide Indium phosphide Pulse measurements Semiconductor process modeling Thermal conductivity Thermal resistance Wet etching
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2002.194910