65 nm Transistors for a 90 nm CMOS SOC Platform

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Mirabedini, M.R., Gopinath, V.P., Kamath, A., Lee, M.Y., Yeh, W.C.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Boron CMOS logic circuits CMOS process CMOS technology Dielectric devices Electronics Exact sciences and technology Implants Leakage current Nickel Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Silicides Silicon Transistors
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2002.194887