On the Characterisation of ALCVD ZrO2; Electrical and Structural Properties

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Young, E.W.A., Besling, W.F.A.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Dielectric substrates Hafnium High K dielectric materials High-K gate dielectrics Laboratories Leakage current Performance analysis Silicon Zirconium
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2000.194821