Ultra-Thin High Quality Oxynitride Formed by NH3 Nitridation and High Pressure O2 Re-oxidation

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Luo, T.Y., Watt, V.H.C., Al-Shareef, H.N., Brown, G.A., Karamcheti, A., Jackson, M.D., Huff, H.R., Evans, B., Kwong, D.L.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Boron Dielectrics Electrodes Furnaces Leakage current MOSFETs Nitrogen Silicon Temperature Thickness measurement
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2000.194800