Noise Characterization of InP Based Heterojunction Bipolar Transistor at Microwave Frequencies

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Danelon, V., Aniel, F., Riet, M., Crozat, P., Vernet, G., Adde, R.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Bipolar transistors Heterojunction bipolar transistors Indium phosphide Microwave frequencies Microwave transistors Noise figure Noise measurement Performance evaluation Semiconductor device noise Testing
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