Two-dimensional analytical model of subthreshold current in fully-depleted SOI MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Pidin, S., Kurino, H., Koyanagi, M.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Analytical models MOSFETs Subthreshold current
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.1997.194519