A performance comparison between 0.35um self-aligned and quasi-self-aligned double-polysilicon bipolar transistors

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Ailloud, L., de Pontcharra, J., Bartoletti, G., Kirtsch, J., Auvert, G., Chantre, A.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	BiCMOS integrated circuits Bipolar transistors Boron Dielectrics Etching Fabrication Implants Microelectronics Silicon carbide Telecommunications
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.1997.194453