Technology of the Diode Programmable Read Only Memory

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Lifka, H., Woerlee, P.H., de Graaf, C., Hart, C.M., Janssen, P.J.M., Paulzen, G.M., Theunissen, M.J.J., de Vreede, P.W.H.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Diodes Electric breakdown Isolation technology Laboratories MOS devices MOSFETs PROM Read only memory Stress Voltage
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.1997.194418