VB-1 three-dimensional device fabrication using zone-melting recrystallization with a graphite strip heater

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1985-11, Vol.32 (11), p.2547-2548
Hauptverfasser:	Geis, M.W., Chen, C.K., Mountain, R.W., Economou, N.P., Lindley, W.T., Hower, P.L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Bipolar transistors Fabrication Heterojunctions Implants Logic gates Silicon
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