IIIA-7 GaAs permeable base transistors fabricated using organometallic chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1984-12, Vol.31 (12), p.1969-1970
Hauptverfasser:	Nichols, K.B., Gale, R.P., Hollis, M.A., Lincoln, G.A., Bozler, C.O.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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