IVB-6 effects of grain boundaries on laser crystallized poly-Si MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1981-10, Vol.28 (10), p.1240-1240
Hauptverfasser:	Ng, K.K., Celler, G.K., Povilonis, E.I., Frye, R.C., Leamy, H.J., Sze, S.M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electrons Grain boundaries Leakage currents Logic gates Measurement by laser beam MOSFET Performance evaluation
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