WP-B3 epitaxial Hg1-xCdxTe photodiodes for 1-2 µm applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1980-11, Vol.27 (11), p.2201-2201
Hauptverfasser:	Shin, S.H., Chu, M., Cheung, D.T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cadmium compounds Epitaxial growth II-VI semiconductor materials Logic gates Photodiodes Substrates Temperature sensors
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