V-3 doping profile measurement from avalanche space-charge resistance: A new technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1974-11, Vol.21 (11), p.743-743
Hauptverfasser:	Glover, G.H., Tantraporn, W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Junctions Liquid crystals Measurement by laser beam Resistance Schottky diodes Semiconductor device measurement Silicon
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