I-1 GaAs IMPATT diodes prepared by molecular-beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1974-11, Vol.21 (11), p.736-736
Hauptverfasser:	Cho, A.Y., Dunn, C.N., Kuvas, R.L., Schroeder, W.E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gain Gallium arsenide Microwave amplifiers Microwave transistors Molecular beam epitaxial growth Transistors
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