Distribution of recombination current in emitter-base junctions of silicon transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:I.R.E. transactions on electron devices 1961-09, Vol.8 (5), p.425-425
Hauptverfasser: Coppen, P.J., Matzen, W.T.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0096-2430
2379-8661
DOI:10.1109/T-ED.1961.14837