Room temperature Lorentz field induced recombination radiation in InSb and CdxHg1-xTe

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Proceedings of the IEEE 1966-11, Vol.54 (11), p.1597-1598
Hauptverfasser:	Flynn, J.B., Schlickman, J.J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electron mobility Frequency Indium Luminescence Magnetic fields Microwave generation Plasma stability Plasma temperature Radiative recombination Voltage
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