Trapezoidal i-v characteristics in GaAs tunnel diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Proceedings of the IEEE 1966-01, Vol.54 (10), p.1498-1499
Hauptverfasser:	Agusta, B., Nanavati, R.P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Frequency Gallium arsenide Life testing Microwave devices Ohmic contacts Roentgenium Semiconductor diodes Signal to noise ratio Tuning Tunneling
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