High Aspect Ratio Through-Wafer Interconnect for Three Dimensional Integrated Circuits

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Ranganathan, N., Prasad, K., Balasubramanian, N., Zhou Qiaoer, Seah Chin Hwee
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Copper Electronic components Etching Integrated circuit interconnections Integrated circuit technology Microelectronics Power system interconnection Silicon Ultra large scale integration Wafer bonding
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