Fabrication and operation of sub-50 nm strained-Si on Si/sub 1-x/Ge/sub x/ Insulator (SGOI) CMOSFETs

Fabrication and operation of sub-50 nm strained-Si on Si/sub 1-x/Ge/sub x/ Insulator (SGOI) CMOSFETs

First functional 45 nm SGOI CMOS devices on bonded SGOI substrates with T/sub SOI/

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Sadaka, M., Thean, A.V.-Y., Barr, A., Tekleab, D., Kalpat, S., White, T., Nguyen, T., Mora, R., Beckage, P., Jawarani, D., Zollner, S., Kottke, M., Liu, R., Canonico, M., Xie, Q.-H., Wang, X.-D., Parsons, S., Eades, D., Zavala, M., Nguyen, B.-Y., Mazure, C., Mogab, J.
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
Schlagworte:
Bonding
CMOSFETs
Contact resistance
Degradation
Fabrication
Insulation
MOS devices
Random access memory
Silicides
Stress
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Beschreibung
Zusammenfassung:First functional 45 nm SGOI CMOS devices on bonded SGOI substrates with T/sub SOI/
DOI:10.1109/SOI.2004.1391620