Quantum interference in semiconductors controlled by carrier-envelope phase

We demonstrate that the carrier-envelope phase of ultrashort pulses can be used to control injected photocurrents via quantum interference in low-temperature-grown gallium arsenide (GaAs).

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Roos, P.A., Fortier, T.M., Jones, D.J., Cundiff, S.T., Bhat, R.D.R., Sipe, Je
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:We demonstrate that the carrier-envelope phase of ultrashort pulses can be used to control injected photocurrents via quantum interference in low-temperature-grown gallium arsenide (GaAs).