Erratum to "A 1-27 GHz SiGe Low Noise Amplifier With 27-dB Peak Gain and 2.85±1. 45 dB NF"

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs Express briefs, 2025-01, Vol.72 (1), p.353-353
Hauptverfasser:	Wang, Zongxiang, Chen, Jixin, Hou, Debin, Zhou, Peigen, Chen, Zhe, Wang, Long, Xu, Xiaojie, Hong, Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Circuits Frequency measurement Gain Impedance Low-noise amplifiers Noise measurement Photomicrography Silicon germanium Transistors Wideband
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