Güneş Pilleri Uygulamalarında Kullanılan Organik Tabanlı Schottky Diyotlarında İyonize Radyasyonun Aygıt Parametrelerine Etkisi

Bu çalışmada, organik araüzeyli Schottky yapısına iyonize radyasyonun etkileri araştırılmıştır. Hazırlanan metal/koronen/n-Si Schottky yapılar, değişik dozlarda gama radyasyonuna maruz bırakılmış ve bu yapıların ışınlama öncesi ve sonrası performans parametrelerindeki değişimler incelenmiştir. Organik arayüzey tabaka olarak koronen malzemesi kullanılmıştır. Arayüzey malzemesi döndürme ile kaplama tekniği kullanılarak, değişik kimyasal yöntemlerle temizlenmiş olan n-tipi silisyum tabanlar üzerine ince film olarak kaplanmıştır. Yapıların radyasyon öncesi ve sonrası elektriksel karakteristiklerindeki değişimler karanlık ortamda ve oda sıcaklığında I-V, C-V ve G-V ölçüm teknikleri kullanılarak incelenmiştir In this study, the effects of ionizing radiation on organic interfaced Schottky diodes were investigated. The prepared metal/coronene/n-Si Schottky structures were exposed to different dose of gamma radiation and examined the variations of performance parameters of these structures before and after radiation. The coronene material was used as an organic interface layer and coated onto the n-type silicon substrates as a thin film by using the spin coating technique after various chemical cleaning methods. The changes in the electrical characteristic of the structures were investigated using the I-V, C-V and G-V measurement techniques before and after irradiation in dark environment and at room temperature