Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Radiation effects and defects in solids 1989-10, Vol.110 (1-2), p.203-205
Hauptverfasser:	Krynicki, J., Toulemonde, M., Muller, J. C., Siffert, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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