Electron diffusion length in rapid thermal processed p-type silicon

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1988, Vol.53, p.11928
Hauptverfasser:	Vu, Thuong-Quat, Eichhammer, W., Siffert, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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