Growth of large size diamond single crystals by plasma assisted chemical vapour deposition: Recent achievements and remaining challenges

Diamond is a material with outstanding properties making it particularly suited for high added-value applications such as optical windows, power electronics, radiation detection, quantum information, bio-sensing and many others. Tremendous progresses in its synthesis by microwave plasma assisted chemical vapour deposition have allowed obtaining single crystal optical-grade material with thicknesses of up to a few millimetres. However the requirements in terms of size, purity and crystalline quality are getting more and more difficult to achieve with respect to the forecasted applications, thus pushing the synthesis method to its scientific and technological limits. In this paper, after a short description of the operating principles of the growth technique, the challenges of increasing crystal dimensions both laterally and vertically, decreasing and controlling point and extended defects as well as modulating crystal conductivity by an efficient doping will be detailed before offering some insights into ways to overcome them. Le diamant est un matériau aux propriétés hors du commun permettant dʼenvisager un grand nombre dʼapplications, parmi lesquelles des fenêtres optiques, des dispositifs dʼélectronique de puissance ou dʼinformation quantique, des détecteurs de radiation ou de substances biologiques. Les énormes progrès de la technique de synthèse par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde ont permis la réalisation de monocristaux de qualité optique jusquʼà plusieurs millimètres dʼépaisseur et présentant une bonne transparence. Néanmoins, les exigences en termes de dimensions, de pureté et qualité cristalline sont de plus en plus élevées pour les applications visées, et la croissance se heurte alors à un certain nombre de verrous technologiques ou scientifiques. Dans ce papier, après une rapide description des principes de la technique de croissance, les problèmes de lʼaugmentation des dimensions verticales et latérales des cristaux, du contrôle des défauts ponctuels et étendus ainsi que de la modulation de la conductivité par lʼajout dʼimpuretés dopantes seront abordés et des solutions possibles seront alors proposées.