Gate length effect on trapping properties in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2019-03, Vol.34 (4)
Hauptverfasser:	Ferrandis, Philippe, El-Khatib, Mariam, Jaud, Marie-Anne, Morvan, Erwan, Charles, Matthew, Guillot, Gérard, Bremond, Georges
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed Matter Engineering Sciences Materials Science Micro and nanotechnologies Microelectronics Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!