Thermoelectric power factor of Ge1-xSnx thin films

The Seebeck coefficients (α) and the power factors of 100 nm-thick Ge1-xSnx films grown by magnetron sputtering were studied versus Sn composition (0.09 ≤ x ≤ 0.15) in the 220−330 K temperature range. The films present particularly high Seebeck coefficients at room temperature but as they are undope...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materialia 2020-12, Vol.14, Article 100873
Hauptverfasser: Portavoce, A., Khelidj, H., Oueldna, N., Amhil, S., Bertoglio, M., Mangelinck, D., Essaleh, L., Hoummada, K.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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