Thermoelectric power factor of Ge1-xSnx thin films
The Seebeck coefficients (α) and the power factors of 100 nm-thick Ge1-xSnx films grown by magnetron sputtering were studied versus Sn composition (0.09 ≤ x ≤ 0.15) in the 220−330 K temperature range. The films present particularly high Seebeck coefficients at room temperature but as they are undope...
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Veröffentlicht in: | Materialia 2020-12, Vol.14, Article 100873 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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