Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2010
Hauptverfasser:	Guhel, Y., Boudart, B., Vellas, N., Gaquière, Christophe
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences
Online-Zugang:	Volltext
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