Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Solid-state electronics 2005
Hauptverfasser:	Guhel, Y., Boudart, B., Vellas, N., Gaquière, Christophe, Delos, E., Ducatteau, D., Bougrioua, Z., Germain, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences
Online-Zugang:	Volltext
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