Formation of tetrahedral islands in epitaxial NiO layers deposited on MgO(1 1 1)
We studied NiO layers epitaxially grown on a stabilized MgO(1 1 1) substrate at various temperatures between 700°C and 900°C. The epitaxial growth and surface structures were investigated using reflection high energy electron diffraction, atomic force microscopy, X-ray diffraction and high resolutio...
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Veröffentlicht in: | Journal of crystal growth 2002-02, Vol.234 (4), p.704-710 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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