Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2019-09, Vol.100-101
Hauptverfasser:	Magnier, Florent, Lambert, Benoit, Chang, Christophe, Curutchet, Arnaud, Labat, Nathalie, Malbert, Nathalie
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electronics Engineering Sciences
Online-Zugang:	Volltext
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