Ultrathin AlN‐Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 ‐MBE

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2018-05, Vol.215 (9)
Hauptverfasser: Rennesson, Stephanie, Leroux, Mathieu, Al Khalfioui, Mohamed, Nemoz, Maud, Chenot, Sébastien, Massies, Jean, Largeau, Ludovic, Dogmus, Ezgi, Zegaoui, Malek, Medjdoub, Farid, Semond, Fabrice
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1862-6300
1862-6319
DOI:10.1002/pssa.201700640