Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2019-10, Vol.115 (15)
Hauptverfasser:	Antoun, Gaelle, Lefaucheux, Philippe, Tillocher, Thomas, Dussart, Rémi, Yamazaki, Kumiko, Yatsuda, Koichi, Faguet, Jacques, Maekawa, Kaoru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical and Process Engineering Engineering Sciences Micro and nanotechnologies Microelectronics Plasmas
Online-Zugang:	Volltext
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