Organic thin film transistors with HfO2 high-k gate dielectric grown by anodic oxidation or deposited by sol–gel

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2007-02, Vol.47 (2-3), p.372-377
Hauptverfasser:	Tardy, J., Erouel, M., Deman, A.L., Gagnaire, A., Teodorescu, V., Blanchin, M.G., Canut, B., Barau, A., Zaharescu, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences Micro and nanotechnologies Microelectronics
Online-Zugang:	Volltext
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