Growth temperature dependence of epitaxial Gd2O3 films on Si( 1 1 1 )

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2009-07, Vol.86 (7-9), p.1700-1702
Hauptverfasser:	NIU, G, VILQUIN, B, BABOUX, N, PLOSSU, C, BECERRA, L, SAINT-GRIONS, G, HOLLINGER, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Condensed Matter Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Materials Science Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
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