Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2016-11, Vol.453, p.180-187
Hauptverfasser:	Bogumilowicz, Y., Hartmann, J.M., Rochat, N., Salaun, A., Martin, M., Bassani, F., Baron, T., David, S., Bao, X.-Y., Sanchez, E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Physics
Online-Zugang:	Volltext
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